ASML已完成1nm光刻机设计 1nm光刻机需要更强大的物理极性

　　想想几年前的全球半导体芯片市场，真的可谓哀嚎一片，一时间摩尔定律失效的言论可谓此起彼伏。但是在今天，我们不仅看到5nm工艺如期而至，台积电宣布2nm获得重大进展，就连光刻机的老大ASML也传来捷报，全球最先进的1nm EUV光刻机业已完成设计。

　　

 

　　ASML已完成1nm光刻机设计

　　近日，与ASML(阿斯麦)合作研发光刻机的比利时半导体研究机构IMEC公布了3nm及以下制程的在微缩层面技术细节。具体来看，ASML对于3m、2nm、1.5nm、1nm甚至Sub 1nm都做了清晰的路线规划，且1nm时代的光刻机体积将增大不少。

　　显然，1nm光刻机需要更强大的物理极性，2nm之后需要更高分辨率的曝光设备。目前已经投入量产的7nm、5nm工艺已经引入了0.33NA的EUV曝光设备，而ASML已经完成了0.55NA曝光设备的基本设计，预计在2022年实现商业化。

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